SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
Osa numero
SQ2361AEES-T1_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TA)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
-
Tehonhäviö (maks.)
2W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35519 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQ2361AEES-T1_GE3
SQ2361AEES-T1_GE3 Elektroniset komponentit
SQ2361AEES-T1_GE3 Myynti
SQ2361AEES-T1_GE3 Toimittaja
SQ2361AEES-T1_GE3 Jakelija
SQ2361AEES-T1_GE3 Tietotaulukko
SQ2361AEES-T1_GE3 Kuvat
SQ2361AEES-T1_GE3 Hinta
SQ2361AEES-T1_GE3 Tarjous
SQ2361AEES-T1_GE3 Alin hinta
SQ2361AEES-T1_GE3 Hae
SQ2361AEES-T1_GE3 Ostaminen
SQ2361AEES-T1_GE3 Chip