SQ3419EEV-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
Osa numero
SQ3419EEV-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Toimittajan laitepaketti
6-TSOP
Tehonhäviö (maks.)
5W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1065pF @ 20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 30836 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQ3419EEV-T1-GE3
SQ3419EEV-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SQ3419EEV-T1-GE3 Myynti
SQ3419EEV-T1-GE3 Toimittaja
SQ3419EEV-T1-GE3 Jakelija
SQ3419EEV-T1-GE3 Tietotaulukko
SQ3419EEV-T1-GE3 Kuvat
SQ3419EEV-T1-GE3 Hinta
SQ3419EEV-T1-GE3 Tarjous
SQ3419EEV-T1-GE3 Alin hinta
SQ3419EEV-T1-GE3 Hae
SQ3419EEV-T1-GE3 Ostaminen
SQ3419EEV-T1-GE3 Chip