SQD15N06-42L_GE3
MOSFET N-CH 60V 15A
Osa numero
SQD15N06-42L_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252, (D-Pak)
Tehonhäviö (maks.)
37W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
535pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5035 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQD15N06-42L_GE3
SQD15N06-42L_GE3 Elektroniset komponentit
SQD15N06-42L_GE3 Myynti
SQD15N06-42L_GE3 Toimittaja
SQD15N06-42L_GE3 Jakelija
SQD15N06-42L_GE3 Tietotaulukko
SQD15N06-42L_GE3 Kuvat
SQD15N06-42L_GE3 Hinta
SQD15N06-42L_GE3 Tarjous
SQD15N06-42L_GE3 Alin hinta
SQD15N06-42L_GE3 Hae
SQD15N06-42L_GE3 Ostaminen
SQD15N06-42L_GE3 Chip