SQJ262EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Osa numero
SQJ262EP-T1_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Teho - Max
27W (Tc), 48W (Tc)
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
15A (Tc), 40A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51979 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQJ262EP-T1_GE3
SQJ262EP-T1_GE3 Elektroniset komponentit
SQJ262EP-T1_GE3 Myynti
SQJ262EP-T1_GE3 Toimittaja
SQJ262EP-T1_GE3 Jakelija
SQJ262EP-T1_GE3 Tietotaulukko
SQJ262EP-T1_GE3 Kuvat
SQJ262EP-T1_GE3 Hinta
SQJ262EP-T1_GE3 Tarjous
SQJ262EP-T1_GE3 Alin hinta
SQJ262EP-T1_GE3 Hae
SQJ262EP-T1_GE3 Ostaminen
SQJ262EP-T1_GE3 Chip