SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Osa numero
SUM110N10-09-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2Pak)
Tehonhäviö (maks.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6700pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38242 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SUM110N10-09-E3
SUM110N10-09-E3 Elektroniset komponentit
SUM110N10-09-E3 Myynti
SUM110N10-09-E3 Toimittaja
SUM110N10-09-E3 Jakelija
SUM110N10-09-E3 Tietotaulukko
SUM110N10-09-E3 Kuvat
SUM110N10-09-E3 Hinta
SUM110N10-09-E3 Tarjous
SUM110N10-09-E3 Alin hinta
SUM110N10-09-E3 Hae
SUM110N10-09-E3 Ostaminen
SUM110N10-09-E3 Chip