AGM-Semi (core control source)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
AGM3015A
N-channel 30V 136A 1.3mΩ
Osa numero
AGM3015A
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
AGM-Semi (core control source)
Kapselointi
PDFN5x6
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
3000
Kuvaus
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 136A Power (Pd): 63W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 1.3mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.091nF@15V , Vds=30v Id=136A Rds=1.3 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 86609 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta AGM3015A
AGM3015A Elektroniset komponentit
AGM3015A Myynti
AGM3015A Toimittaja
AGM3015A Jakelija
AGM3015A Tietotaulukko
AGM3015A Kuvat
AGM3015A Hinta
AGM3015A Tarjous
AGM3015A Alin hinta
AGM3015A Hae
AGM3015A Ostaminen
AGM3015A Chip