Kuva saattaa olla esitys. Katso tuotteen tekniset tiedot.
AGM4025Q
AGM4025Q
Osa numero
AGM4025Q
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
AGM-Semi (core control source)
Kapselointi
PDFN5x6
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
3000
Kuvaus
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 73.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.2mΩ@10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 22.7nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.90nF@20V , Vds=40v Id=110A Rds=2.2mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.