Kuva saattaa olla esitys. Katso tuotteen tekniset tiedot.
AGM6070A
AGM6070A
Osa numero
AGM6070A
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
AGM-Semi (core control source)
Kapselointi
PDFN5x6
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
3000
Kuvaus
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 76A Power (Pd): 89W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 7.0mΩ@10V, 20A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 92nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.9nF@30V, Vds=60v Id=76A Rds=7.0mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.