VBsemi (Wei Bi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
FDN302P-VB
P-channel 20V 5A
Osa numero
FDN302P-VB
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
VBsemi (Wei Bi)
Kapselointi
SOT-23-3
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
3000
Kuvaus
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 65309 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta FDN302P-VB
FDN302P-VB Elektroniset komponentit
FDN302P-VB Myynti
FDN302P-VB Toimittaja
FDN302P-VB Jakelija
FDN302P-VB Tietotaulukko
FDN302P-VB Kuvat
FDN302P-VB Hinta
FDN302P-VB Tarjous
FDN302P-VB Alin hinta
FDN302P-VB Hae
FDN302P-VB Ostaminen
FDN302P-VB Chip