VBsemi (Wei Bi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
FDT434P-VB
P-channel 35V 6.2A
Osa numero
FDT434P-VB
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
VBsemi (Wei Bi)
Kapselointi
SOT-223
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
2500
Kuvaus
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 66514 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
N-Channel 30V 6.3A N-Channel, 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 6.3A, 45mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 500V 2A Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 Ω, SOT223
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta FDT434P-VB
FDT434P-VB Elektroniset komponentit
FDT434P-VB Myynti
FDT434P-VB Toimittaja
FDT434P-VB Jakelija
FDT434P-VB Tietotaulukko
FDT434P-VB Kuvat
FDT434P-VB Hinta
FDT434P-VB Tarjous
FDT434P-VB Alin hinta
FDT434P-VB Hae
FDT434P-VB Ostaminen
FDT434P-VB Chip