The FOD814 consists of two anti-parallel GaAs infrared light-emitting diodes that drive the output of a silicon phototransistor in a 4-pin dual column plug-inencapsulation. The FOD817 series contains Gallium Arsenide Infrared Emitting Diodes driving silicon phototransistors in a 4-pin dual column plug-inencapsulation.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.