The FOD814 consists of two Gallium Arsenide infrared emitting diodes in a 4-pin dual-wire encapsulation, connected in anti-parallel, driving a silicon phototransistor output. The FOD817 series includes a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a Silicon Phototransistor within a 4-pin 2-in-line encapsulation.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.