The FODM121 series, FODM124 and FODM2701 include a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a phototransistor within a compact 4-pin micro-flat encapsulation. Lead spacing is 2.54 mm. The FODM2705 consists of two Gallium Arsenide Infrared Emitting Diodes connected in anti-parallel for AC operation.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.