The H11FXM series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled to a symmetrical bi-directional silicon photodetector. The detector is galvanically isolated from the input like an ideally isolated FET, suitable for distortion-free control of low-level AC and DC analog signals. The H11FXM series devices are installed in a two-wire in-capsulation.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.