The HMHA281 and HMHA2801 series of devices include a GaAs infrared emitting diode driving a silicon phototransistor within a compact 4-pin micro-flat encapsulation. Lead spacing is 1.27 mm.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.