Kuva saattaa olla esitys. Katso tuotteen tekniset tiedot.
MJD31CT4G
NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Osa numero
MJD31CT4G
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Valmistaja/merkki
onsemi (Ansemi)
Kapselointi
TO-252-2(DPAK)
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
2500
Kuvaus
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.