onsemi (Ansemi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
MJD31CT4G NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

MJD31CT4G

NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Osa numero
MJD31CT4G
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Valmistaja/merkki
onsemi (Ansemi)
Kapselointi
TO-252-2(DPAK)
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
2500
Kuvaus
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 79690 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta MJD31CT4G
MJD31CT4G Elektroniset komponentit
MJD31CT4G Myynti
MJD31CT4G Toimittaja
MJD31CT4G Jakelija
MJD31CT4G Tietotaulukko
MJD31CT4G Kuvat
MJD31CT4G Hinta
MJD31CT4G Tarjous
MJD31CT4G Alin hinta
MJD31CT4G Hae
MJD31CT4G Ostaminen
MJD31CT4G Chip