onsemi (Ansemi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NCD57090EDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
Osa numero
NCD57090EDWR2G
Kategoria
Power Chip > Gate Driver IC
Valmistaja/merkki
onsemi (Ansemi)
Kapselointi
SOIC-8-5.9mm
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
1000
Kuvaus
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 64356 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta NCD57090EDWR2G
NCD57090EDWR2G Elektroniset komponentit
NCD57090EDWR2G Myynti
NCD57090EDWR2G Toimittaja
NCD57090EDWR2G Jakelija
NCD57090EDWR2G Tietotaulukko
NCD57090EDWR2G Kuvat
NCD57090EDWR2G Hinta
NCD57090EDWR2G Tarjous
NCD57090EDWR2G Alin hinta
NCD57090EDWR2G Hae
NCD57090EDWR2G Ostaminen
NCD57090EDWR2G Chip