VBsemi (Wei Bi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
RFD3055LESM9A-VB
RFD3055LESM9A-VB
Osa numero
RFD3055LESM9A-VB
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
VBsemi (Wei Bi)
Kapselointi
TO252
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
2500
Kuvaus
N-channel, 60V, 18A, RDS(ON), 73mΩ@10V, 85mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 2Vth(V); TO252
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51442 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
N-Channel 60V 11A N-Channel, Logic Level, Power MOSFET, 60V, 11A, 107mΩ
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta RFD3055LESM9A-VB
RFD3055LESM9A-VB Elektroniset komponentit
RFD3055LESM9A-VB Myynti
RFD3055LESM9A-VB Toimittaja
RFD3055LESM9A-VB Jakelija
RFD3055LESM9A-VB Tietotaulukko
RFD3055LESM9A-VB Kuvat
RFD3055LESM9A-VB Hinta
RFD3055LESM9A-VB Tarjous
RFD3055LESM9A-VB Alin hinta
RFD3055LESM9A-VB Hae
RFD3055LESM9A-VB Ostaminen
RFD3055LESM9A-VB Chip