AOT8N80L_001
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Osa numero
AOT8N80L_001
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Tehonhäviö (maks.)
245W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.63 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43139 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta AOT8N80L_001
AOT8N80L_001 Elektroniset komponentit
AOT8N80L_001 Myynti
AOT8N80L_001 Toimittaja
AOT8N80L_001 Jakelija
AOT8N80L_001 Tietotaulukko
AOT8N80L_001 Kuvat
AOT8N80L_001 Hinta
AOT8N80L_001 Tarjous
AOT8N80L_001 Alin hinta
AOT8N80L_001 Hae
AOT8N80L_001 Ostaminen
AOT8N80L_001 Chip