Comchip Technology
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
B10S-G
Katso lisätietoja DataSheets

B10S-G

RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Osa numero
B10S-G
Valmistaja/merkki
Comchip Technology
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
Standard
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-269AA, 4-BESOP
Toimittajan laitepaketti
MBS
Diodin tyyppi
Single Phase
Jännite - Huipun käänteinen (maks.)
1kV
Virta - Keskimääräinen korjattu (Io)
800mA
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
1.1V @ 800mA
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
5µA @ 1000V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 13948 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
B10S-G RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
B10S-G
RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-G RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
B10S-G
RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-G RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
B10S-G
RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-G RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
B10S-G
RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-G RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
B10S-G
RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-G RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
B10S-G
RECT BRIDGE GPP 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-HF DIODE BRIDGE 1000V 0.8A MBS
B10S-HF
DIODE BRIDGE 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
B10S-HF DIODE BRIDGE 1000V 0.8A MBS
B10S-HF
DIODE BRIDGE 1000V 0.8A MBS
Comchip Technology
Avainsanat aiheesta B10S-G
B10S-G Elektroniset komponentit
B10S-G Myynti
B10S-G Toimittaja
B10S-G Jakelija
B10S-G Tietotaulukko
B10S-G Kuvat
B10S-G Hinta
B10S-G Tarjous
B10S-G Alin hinta
B10S-G Hae
B10S-G Ostaminen
B10S-G Chip