C2M0040120D
MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
Osa numero
C2M0040120D
Valmistaja/merkki
Sarja
Z-FET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Tehonhäviö (maks.)
330W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 10mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1893pF @ 1000V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 9129 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta C2M0040120D
C2M0040120D Elektroniset komponentit
C2M0040120D Myynti
C2M0040120D Toimittaja
C2M0040120D Jakelija
C2M0040120D Tietotaulukko
C2M0040120D Kuvat
C2M0040120D Hinta
C2M0040120D Tarjous
C2M0040120D Alin hinta
C2M0040120D Hae
C2M0040120D Ostaminen
C2M0040120D Chip