C3M0065100J-TR
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Osa numero
C3M0065100J-TR
Valmistaja/merkki
Sarja
C3M™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Toimittajan laitepaketti
TO-263-7
Tehonhäviö (maks.)
113.5W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (max)
+15V, -4V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35016 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta C3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR Elektroniset komponentit
C3M0065100J-TR Myynti
C3M0065100J-TR Toimittaja
C3M0065100J-TR Jakelija
C3M0065100J-TR Tietotaulukko
C3M0065100J-TR Kuvat
C3M0065100J-TR Hinta
C3M0065100J-TR Tarjous
C3M0065100J-TR Alin hinta
C3M0065100J-TR Hae
C3M0065100J-TR Ostaminen
C3M0065100J-TR Chip