C3M0280090J-TR
MOSFET N-CH 900V 11A
Osa numero
C3M0280090J-TR
Valmistaja/merkki
Sarja
C3M™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Toimittajan laitepaketti
D2PAK-7
Tehonhäviö (maks.)
50W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
900V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (max)
+18V, -8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8863 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR Elektroniset komponentit
C3M0280090J-TR Myynti
C3M0280090J-TR Toimittaja
C3M0280090J-TR Jakelija
C3M0280090J-TR Tietotaulukko
C3M0280090J-TR Kuvat
C3M0280090J-TR Hinta
C3M0280090J-TR Tarjous
C3M0280090J-TR Alin hinta
C3M0280090J-TR Hae
C3M0280090J-TR Ostaminen
C3M0280090J-TR Chip