DMG1012TQ-7
MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
Osa numero
DMG1012TQ-7
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-523
Toimittajan laitepaketti
SOT-523
Tehonhäviö (maks.)
280mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 16V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±6V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 47776 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMG1012TQ-7
DMG1012TQ-7 Elektroniset komponentit
DMG1012TQ-7 Myynti
DMG1012TQ-7 Toimittaja
DMG1012TQ-7 Jakelija
DMG1012TQ-7 Tietotaulukko
DMG1012TQ-7 Kuvat
DMG1012TQ-7 Hinta
DMG1012TQ-7 Tarjous
DMG1012TQ-7 Alin hinta
DMG1012TQ-7 Hae
DMG1012TQ-7 Ostaminen
DMG1012TQ-7 Chip