Osta Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7 MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

DMN6013LFGQ-7

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Osa numero

DMN6013LFGQ-7

Valmistaja/merkki

Diodes Incorporated

Sarja

Automotive, AEC-Q101

Osan tila

Active

Pakkaus

Cut Tape (CT)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

8-PowerVDFN

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8

Tehonhäviö (maks.)

1W (Ta)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

60V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

55.4nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 37672 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

DMN6013LFG-13