DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Osa numero
DMNH10H028SK3-13
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252, (D-Pak)
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2245pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 27852 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMNH10H028SK3-13
DMNH10H028SK3-13 Elektroniset komponentit
DMNH10H028SK3-13 Myynti
DMNH10H028SK3-13 Toimittaja
DMNH10H028SK3-13 Jakelija
DMNH10H028SK3-13 Tietotaulukko
DMNH10H028SK3-13 Kuvat
DMNH10H028SK3-13 Hinta
DMNH10H028SK3-13 Tarjous
DMNH10H028SK3-13 Alin hinta
DMNH10H028SK3-13 Hae
DMNH10H028SK3-13 Ostaminen
DMNH10H028SK3-13 Chip