DMP56D0UFB-7B
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Osa numero
DMP56D0UFB-7B
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
3-UFDFN
Toimittajan laitepaketti
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Tehonhäviö (maks.)
425mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
50V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.58nC @ 4V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
50.54pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 21319 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMP56D0UFB-7B
DMP56D0UFB-7B Elektroniset komponentit
DMP56D0UFB-7B Myynti
DMP56D0UFB-7B Toimittaja
DMP56D0UFB-7B Jakelija
DMP56D0UFB-7B Tietotaulukko
DMP56D0UFB-7B Kuvat
DMP56D0UFB-7B Hinta
DMP56D0UFB-7B Tarjous
DMP56D0UFB-7B Alin hinta
DMP56D0UFB-7B Hae
DMP56D0UFB-7B Ostaminen
DMP56D0UFB-7B Chip