DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Osa numero
DMT10H010LK3-13
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252, (D-Pak)
Tehonhäviö (maks.)
3W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
68.8A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2592pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 18807 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMT10H010LK3-13
DMT10H010LK3-13 Elektroniset komponentit
DMT10H010LK3-13 Myynti
DMT10H010LK3-13 Toimittaja
DMT10H010LK3-13 Jakelija
DMT10H010LK3-13 Tietotaulukko
DMT10H010LK3-13 Kuvat
DMT10H010LK3-13 Hinta
DMT10H010LK3-13 Tarjous
DMT10H010LK3-13 Alin hinta
DMT10H010LK3-13 Hae
DMT10H010LK3-13 Ostaminen
DMT10H010LK3-13 Chip