Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
62-0136PBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Osa numero
62-0136PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TA)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
-
Toimittajan laitepaketti
-
Tehonhäviö (maks.)
2.5W
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3710pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8609 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta 62-0136PBF
62-0136PBF Elektroniset komponentit
62-0136PBF Myynti
62-0136PBF Toimittaja
62-0136PBF Jakelija
62-0136PBF Tietotaulukko
62-0136PBF Kuvat
62-0136PBF Hinta
62-0136PBF Tarjous
62-0136PBF Alin hinta
62-0136PBF Hae
62-0136PBF Ostaminen
62-0136PBF Chip