BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
Osa numero
BSC009NE2LSATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8
Tehonhäviö (maks.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 12V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 49288 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSC009NE2LSATMA1
BSC009NE2LSATMA1 Elektroniset komponentit
BSC009NE2LSATMA1 Myynti
BSC009NE2LSATMA1 Toimittaja
BSC009NE2LSATMA1 Jakelija
BSC009NE2LSATMA1 Tietotaulukko
BSC009NE2LSATMA1 Kuvat
BSC009NE2LSATMA1 Hinta
BSC009NE2LSATMA1 Tarjous
BSC009NE2LSATMA1 Alin hinta
BSC009NE2LSATMA1 Hae
BSC009NE2LSATMA1 Ostaminen
BSC009NE2LSATMA1 Chip