BSC750N10NDGATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Osa numero
BSC750N10NDGATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Teho - Max
26W
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8 Dual
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.2A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 12µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 50V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10079 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSC750N10NDGATMA1
BSC750N10NDGATMA1 Elektroniset komponentit
BSC750N10NDGATMA1 Myynti
BSC750N10NDGATMA1 Toimittaja
BSC750N10NDGATMA1 Jakelija
BSC750N10NDGATMA1 Tietotaulukko
BSC750N10NDGATMA1 Kuvat
BSC750N10NDGATMA1 Hinta
BSC750N10NDGATMA1 Tarjous
BSC750N10NDGATMA1 Alin hinta
BSC750N10NDGATMA1 Hae
BSC750N10NDGATMA1 Ostaminen
BSC750N10NDGATMA1 Chip