BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 4SOT223
Osa numero
BSP88H6327XTSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223-4
Tehonhäviö (maks.)
1.8W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
240V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 108µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
95pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 18346 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSP88H6327XTSA1
BSP88H6327XTSA1 Elektroniset komponentit
BSP88H6327XTSA1 Myynti
BSP88H6327XTSA1 Toimittaja
BSP88H6327XTSA1 Jakelija
BSP88H6327XTSA1 Tietotaulukko
BSP88H6327XTSA1 Kuvat
BSP88H6327XTSA1 Hinta
BSP88H6327XTSA1 Tarjous
BSP88H6327XTSA1 Alin hinta
BSP88H6327XTSA1 Hae
BSP88H6327XTSA1 Ostaminen
BSP88H6327XTSA1 Chip