BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Osa numero
BSS806NEH6327XTSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT23-3
Tehonhäviö (maks.)
500mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
0.75V @ 11µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 2.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
529pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 2.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 12708 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSS806NEH6327XTSA1
BSS806NEH6327XTSA1 Elektroniset komponentit
BSS806NEH6327XTSA1 Myynti
BSS806NEH6327XTSA1 Toimittaja
BSS806NEH6327XTSA1 Jakelija
BSS806NEH6327XTSA1 Tietotaulukko
BSS806NEH6327XTSA1 Kuvat
BSS806NEH6327XTSA1 Hinta
BSS806NEH6327XTSA1 Tarjous
BSS806NEH6327XTSA1 Alin hinta
BSS806NEH6327XTSA1 Hae
BSS806NEH6327XTSA1 Ostaminen
BSS806NEH6327XTSA1 Chip