BSZ017NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
Osa numero
BSZ017NE2LS5IATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8-FL
Tehonhäviö (maks.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
27A (Ta), 40A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 12V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 44331 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSZ017NE2LS5IATMA1
BSZ017NE2LS5IATMA1 Elektroniset komponentit
BSZ017NE2LS5IATMA1 Myynti
BSZ017NE2LS5IATMA1 Toimittaja
BSZ017NE2LS5IATMA1 Jakelija
BSZ017NE2LS5IATMA1 Tietotaulukko
BSZ017NE2LS5IATMA1 Kuvat
BSZ017NE2LS5IATMA1 Hinta
BSZ017NE2LS5IATMA1 Tarjous
BSZ017NE2LS5IATMA1 Alin hinta
BSZ017NE2LS5IATMA1 Hae
BSZ017NE2LS5IATMA1 Ostaminen
BSZ017NE2LS5IATMA1 Chip