IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Osa numero
IPAN65R650CEXKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220 Full Pack
Tehonhäviö (maks.)
28W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
Super Junction
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38821 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPAN65R650CEXKSA1
IPAN65R650CEXKSA1 Elektroniset komponentit
IPAN65R650CEXKSA1 Myynti
IPAN65R650CEXKSA1 Toimittaja
IPAN65R650CEXKSA1 Jakelija
IPAN65R650CEXKSA1 Tietotaulukko
IPAN65R650CEXKSA1 Kuvat
IPAN65R650CEXKSA1 Hinta
IPAN65R650CEXKSA1 Tarjous
IPAN65R650CEXKSA1 Alin hinta
IPAN65R650CEXKSA1 Hae
IPAN65R650CEXKSA1 Ostaminen
IPAN65R650CEXKSA1 Chip