IPB100N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Osa numero
IPB100N04S2L03ATMA2
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17047 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB100N04S2L03ATMA2
IPB100N04S2L03ATMA2 Elektroniset komponentit
IPB100N04S2L03ATMA2 Myynti
IPB100N04S2L03ATMA2 Toimittaja
IPB100N04S2L03ATMA2 Jakelija
IPB100N04S2L03ATMA2 Tietotaulukko
IPB100N04S2L03ATMA2 Kuvat
IPB100N04S2L03ATMA2 Hinta
IPB100N04S2L03ATMA2 Tarjous
IPB100N04S2L03ATMA2 Alin hinta
IPB100N04S2L03ATMA2 Hae
IPB100N04S2L03ATMA2 Ostaminen
IPB100N04S2L03ATMA2 Chip