Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
Osa numero
IPB144N12N3GATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
107W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
120V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
14.4 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 60V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 26757 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IPB144N12N3GATMA1
IPB144N12N3GATMA1 Elektroniset komponentit
IPB144N12N3GATMA1 Myynti
IPB144N12N3GATMA1 Toimittaja
IPB144N12N3GATMA1 Jakelija
IPB144N12N3GATMA1 Tietotaulukko
IPB144N12N3GATMA1 Kuvat
IPB144N12N3GATMA1 Hinta
IPB144N12N3GATMA1 Tarjous
IPB144N12N3GATMA1 Alin hinta
IPB144N12N3GATMA1 Hae
IPB144N12N3GATMA1 Ostaminen
IPB144N12N3GATMA1 Chip