IPB160N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Osa numero
IPB160N04S2L03ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-7-3
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29380 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB160N04S2L03ATMA1
IPB160N04S2L03ATMA1 Elektroniset komponentit
IPB160N04S2L03ATMA1 Myynti
IPB160N04S2L03ATMA1 Toimittaja
IPB160N04S2L03ATMA1 Jakelija
IPB160N04S2L03ATMA1 Tietotaulukko
IPB160N04S2L03ATMA1 Kuvat
IPB160N04S2L03ATMA1 Hinta
IPB160N04S2L03ATMA1 Tarjous
IPB160N04S2L03ATMA1 Alin hinta
IPB160N04S2L03ATMA1 Hae
IPB160N04S2L03ATMA1 Ostaminen
IPB160N04S2L03ATMA1 Chip