IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Osa numero
IPB200N25N3GATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36551 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB200N25N3GATMA1
IPB200N25N3GATMA1 Elektroniset komponentit
IPB200N25N3GATMA1 Myynti
IPB200N25N3GATMA1 Toimittaja
IPB200N25N3GATMA1 Jakelija
IPB200N25N3GATMA1 Tietotaulukko
IPB200N25N3GATMA1 Kuvat
IPB200N25N3GATMA1 Hinta
IPB200N25N3GATMA1 Tarjous
IPB200N25N3GATMA1 Alin hinta
IPB200N25N3GATMA1 Hae
IPB200N25N3GATMA1 Ostaminen
IPB200N25N3GATMA1 Chip