IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Osa numero
IPB26CN10NGATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
71W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 54808 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB26CN10NGATMA1
IPB26CN10NGATMA1 Elektroniset komponentit
IPB26CN10NGATMA1 Myynti
IPB26CN10NGATMA1 Toimittaja
IPB26CN10NGATMA1 Jakelija
IPB26CN10NGATMA1 Tietotaulukko
IPB26CN10NGATMA1 Kuvat
IPB26CN10NGATMA1 Hinta
IPB26CN10NGATMA1 Tarjous
IPB26CN10NGATMA1 Alin hinta
IPB26CN10NGATMA1 Hae
IPB26CN10NGATMA1 Ostaminen
IPB26CN10NGATMA1 Chip