IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Osa numero
IPB35N10S3L26ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
71W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
26.3 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43714 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB35N10S3L26ATMA1
IPB35N10S3L26ATMA1 Elektroniset komponentit
IPB35N10S3L26ATMA1 Myynti
IPB35N10S3L26ATMA1 Toimittaja
IPB35N10S3L26ATMA1 Jakelija
IPB35N10S3L26ATMA1 Tietotaulukko
IPB35N10S3L26ATMA1 Kuvat
IPB35N10S3L26ATMA1 Hinta
IPB35N10S3L26ATMA1 Tarjous
IPB35N10S3L26ATMA1 Alin hinta
IPB35N10S3L26ATMA1 Hae
IPB35N10S3L26ATMA1 Ostaminen
IPB35N10S3L26ATMA1 Chip