IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Osa numero
IPB50N10S3L16ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Tehonhäviö (maks.)
100W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4180pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42694 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB50N10S3L16ATMA1
IPB50N10S3L16ATMA1 Elektroniset komponentit
IPB50N10S3L16ATMA1 Myynti
IPB50N10S3L16ATMA1 Toimittaja
IPB50N10S3L16ATMA1 Jakelija
IPB50N10S3L16ATMA1 Tietotaulukko
IPB50N10S3L16ATMA1 Kuvat
IPB50N10S3L16ATMA1 Hinta
IPB50N10S3L16ATMA1 Tarjous
IPB50N10S3L16ATMA1 Alin hinta
IPB50N10S3L16ATMA1 Hae
IPB50N10S3L16ATMA1 Ostaminen
IPB50N10S3L16ATMA1 Chip