IPB80N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Osa numero
IPB80N03S4L03ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Tehonhäviö (maks.)
94W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 45µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36209 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB80N03S4L03ATMA1
IPB80N03S4L03ATMA1 Elektroniset komponentit
IPB80N03S4L03ATMA1 Myynti
IPB80N03S4L03ATMA1 Toimittaja
IPB80N03S4L03ATMA1 Jakelija
IPB80N03S4L03ATMA1 Tietotaulukko
IPB80N03S4L03ATMA1 Kuvat
IPB80N03S4L03ATMA1 Hinta
IPB80N03S4L03ATMA1 Tarjous
IPB80N03S4L03ATMA1 Alin hinta
IPB80N03S4L03ATMA1 Hae
IPB80N03S4L03ATMA1 Ostaminen
IPB80N03S4L03ATMA1 Chip