IPB80N06S2L09ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Osa numero
IPB80N06S2L09ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Tehonhäviö (maks.)
190W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2620pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 37359 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB80N06S2L09ATMA1
IPB80N06S2L09ATMA1 Elektroniset komponentit
IPB80N06S2L09ATMA1 Myynti
IPB80N06S2L09ATMA1 Toimittaja
IPB80N06S2L09ATMA1 Jakelija
IPB80N06S2L09ATMA1 Tietotaulukko
IPB80N06S2L09ATMA1 Kuvat
IPB80N06S2L09ATMA1 Hinta
IPB80N06S2L09ATMA1 Tarjous
IPB80N06S2L09ATMA1 Alin hinta
IPB80N06S2L09ATMA1 Hae
IPB80N06S2L09ATMA1 Ostaminen
IPB80N06S2L09ATMA1 Chip