IPC218N04N3X1SA1
MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
Osa numero
IPC218N04N3X1SA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
-
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
Die
Toimittajan laitepaketti
Sawn on foil
Tehonhäviö (maks.)
-
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36762 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPC218N04N3X1SA1
IPC218N04N3X1SA1 Elektroniset komponentit
IPC218N04N3X1SA1 Myynti
IPC218N04N3X1SA1 Toimittaja
IPC218N04N3X1SA1 Jakelija
IPC218N04N3X1SA1 Tietotaulukko
IPC218N04N3X1SA1 Kuvat
IPC218N04N3X1SA1 Hinta
IPC218N04N3X1SA1 Tarjous
IPC218N04N3X1SA1 Alin hinta
IPC218N04N3X1SA1 Hae
IPC218N04N3X1SA1 Ostaminen
IPC218N04N3X1SA1 Chip