IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Osa numero
IPD031N03LGATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
94W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 41249 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1 Elektroniset komponentit
IPD031N03LGATMA1 Myynti
IPD031N03LGATMA1 Toimittaja
IPD031N03LGATMA1 Jakelija
IPD031N03LGATMA1 Tietotaulukko
IPD031N03LGATMA1 Kuvat
IPD031N03LGATMA1 Hinta
IPD031N03LGATMA1 Tarjous
IPD031N03LGATMA1 Alin hinta
IPD031N03LGATMA1 Hae
IPD031N03LGATMA1 Ostaminen
IPD031N03LGATMA1 Chip