IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Osa numero
IPD082N10N3GBTMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5330 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD082N10N3GBTMA1
IPD082N10N3GBTMA1 Elektroniset komponentit
IPD082N10N3GBTMA1 Myynti
IPD082N10N3GBTMA1 Toimittaja
IPD082N10N3GBTMA1 Jakelija
IPD082N10N3GBTMA1 Tietotaulukko
IPD082N10N3GBTMA1 Kuvat
IPD082N10N3GBTMA1 Hinta
IPD082N10N3GBTMA1 Tarjous
IPD082N10N3GBTMA1 Alin hinta
IPD082N10N3GBTMA1 Hae
IPD082N10N3GBTMA1 Ostaminen
IPD082N10N3GBTMA1 Chip