IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Osa numero
IPD800N06NGBTMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
47W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 16µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 37845 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1 Elektroniset komponentit
IPD800N06NGBTMA1 Myynti
IPD800N06NGBTMA1 Toimittaja
IPD800N06NGBTMA1 Jakelija
IPD800N06NGBTMA1 Tietotaulukko
IPD800N06NGBTMA1 Kuvat
IPD800N06NGBTMA1 Hinta
IPD800N06NGBTMA1 Tarjous
IPD800N06NGBTMA1 Alin hinta
IPD800N06NGBTMA1 Hae
IPD800N06NGBTMA1 Ostaminen
IPD800N06NGBTMA1 Chip