IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Osa numero
IPD80R1K0CEBTMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252-3
Tehonhäviö (maks.)
83W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29133 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1 Elektroniset komponentit
IPD80R1K0CEBTMA1 Myynti
IPD80R1K0CEBTMA1 Toimittaja
IPD80R1K0CEBTMA1 Jakelija
IPD80R1K0CEBTMA1 Tietotaulukko
IPD80R1K0CEBTMA1 Kuvat
IPD80R1K0CEBTMA1 Hinta
IPD80R1K0CEBTMA1 Tarjous
IPD80R1K0CEBTMA1 Alin hinta
IPD80R1K0CEBTMA1 Hae
IPD80R1K0CEBTMA1 Ostaminen
IPD80R1K0CEBTMA1 Chip