IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Osa numero
IPD80R1K4CEBTMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252-3
Tehonhäviö (maks.)
63W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 22116 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD80R1K4CEBTMA1
IPD80R1K4CEBTMA1 Elektroniset komponentit
IPD80R1K4CEBTMA1 Myynti
IPD80R1K4CEBTMA1 Toimittaja
IPD80R1K4CEBTMA1 Jakelija
IPD80R1K4CEBTMA1 Tietotaulukko
IPD80R1K4CEBTMA1 Kuvat
IPD80R1K4CEBTMA1 Hinta
IPD80R1K4CEBTMA1 Tarjous
IPD80R1K4CEBTMA1 Alin hinta
IPD80R1K4CEBTMA1 Hae
IPD80R1K4CEBTMA1 Ostaminen
IPD80R1K4CEBTMA1 Chip